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晶間腐蝕試驗檢測

發(fā)布日期:2022-12-01

晶間腐蝕試驗檢測

晶粒間界是結(jié)晶方向不同的晶粒間紊亂錯合的界域,因而,它們是金屬中各溶質(zhì)元素偏析或金屬化合物沉淀析出的有利區(qū)域。在某些腐蝕介質(zhì)中,晶粒間可能先行被腐蝕。這種沿著材料晶粒間界先行發(fā)生腐蝕,使晶粒之間喪失結(jié)合力的局部破壞現(xiàn)象,稱為晶間腐蝕。特點是金屬的外形尺寸幾乎不變,大多數(shù)仍保持金屬光澤,但金屬的強度和延性下降,冷彎后表面出現(xiàn)裂縫,失去金屬聲,作斷面金相檢查時,可發(fā)現(xiàn)晶界或毗鄰區(qū)域發(fā)生局部腐蝕,甚至晶粒脫落,腐蝕沿晶界發(fā)展推進較為均勻。

晶間腐蝕:金屬晶界區(qū)域的溶解速度遠大于晶粒本體的溶解速度時,就會產(chǎn)生晶間腐蝕,產(chǎn)生原因主要是金屬晶界區(qū)的物質(zhì)同晶粒本體的電化學性質(zhì)有差異(外在要具有適當?shù)慕橘|(zhì)在該質(zhì)條件下足以顯示出晶界物質(zhì)同晶粒本體之間的電化學性質(zhì)差異,而這種差異引起不等速溶解)。當固溶處理后的奧氏體不銹在500~ 850溫度范圍內(nèi)加熱時過飽和的碳就要全部或部分地從奧氏體中析出,形成鉻地碳化物,分布在晶界上,析出的碳化鉻的含鉻量比奧氏體基體的含鉻量高得多,含鉻量這樣高的碳化晶界析出必然使碳化物附近的晶界區(qū)貧鉻,形成貧鉻區(qū),貧鉻區(qū)的電解密度比晶粒本體溶解電解密度大很多,從而使貧鉻區(qū)優(yōu)先溶解,產(chǎn)生晶間腐蝕。

晶間腐蝕試驗標準

 

涉及測試:晶間腐蝕試驗

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